產(chǎn)品展示
電工電氣：共搜索到28 個(gè)符合條件的產(chǎn)品
| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱(chēng) | 產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |
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武漢科美芯供應(yīng)IGBT模塊 | 可提供 1700 至 6500 V的電壓等級(jí)產(chǎn)品，作為半橋、全橋、斬波 IGBT 和雙二極管模塊。 高功率 HiPak IGBT 模塊具有軟開(kāi)關(guān)低損耗性能和破紀(jì)錄的安全工作區(qū) (SOA) 的特點(diǎn)。 |